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AST25QW512S宽电压SPI FLASH存储器

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AST25QW512S宽电压SPI FLASH存储器


特点



    支持标准 SPI/双 SPI/四 SPI 指令
    支持 4 字节地址指令和 4 字节地址模式
    灵活的扇区结构(4KB/32KB/64KB)
    支持 1～256 字节大小的页编程
    用户可配置读等待周期
    256 字节页编程时间：0.3ms（典型值）
    4KB 扇区擦除时间：65ms（典型值）
    32KB 扇区擦除时间：380ms（典型值）
    64KB 扇区擦除时间：520ms（典型值）
    全芯片擦除时间：150s（典型值）
    擦/写循环次数：10 万次
    数据保持时间：20 年
    支持 SOP16 封装形式
    质量等级：参考 GJB7400《合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范》中的 N1级要求

部分参数



      工作电压：1.65 V～3.6V
      工作温度：-55℃～+105℃



 
 



 



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