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NIUSM200D120X2P04G1 1200V/200A碳化硅MOSFET半桥模块

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NIUSM200D120X2P04G1 1200V/200A碳化硅MOSFET半桥模块

产品特点：低开关损耗，高速开关
主要用途：电机驱动，逆变器，光伏，风电，感应加热电源
最大额定值
最高结温 TJM：175℃
贮存温度 TSTG：-40℃～+125℃
工作温度 TJOP：-40℃～+150℃

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