EN  

AST41J128M16P 2Gb DDR3

首页 > 欧美品牌电子元器件平替 > 存储类 >

AST41J128M16P 2Gb DDR3


特点



    存储容量：2Gbits
    存储结构：
    -8 banks x 16Meg x 16 bits
    封装形式：FBGA96
    电源电压：VDD/VDDQ=1.50±0.075V
    最大数据速率：1866Mbps
    自刷新模式
    2KB 页面大小（x16）
    -行地址：AX0～AX13
    -列地址：AY0～AY9
    可编程读取潜伏期 CL(CAS Latency)
    可编程列写潜伏期 CWL(CAS WRITE latency)
    突发长度(BL)：8 和 4-bit 突发突变(Burst Chop)功能

  • 


部分参数



      工作温度范围：-55℃～125℃




 
 



 



 
 下载产品说明书

上一个： 擎剑汇产品选型手册
下一个： AST29GL512Px系列512Mb 并行Nor Flash 存储器
返回